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新一代高功率密度、高頻特性PA

LDMOS PA相比，效率提升10%；
GaN系列PA效率達到77%，增益達20dB；
SDSX GaN系列產(chǎn)品可與國際友商PIN-TO-PIN兼容，性能指標完全替代；
2021年實現(xiàn)5G基站全系列GaN產(chǎn)品量產(chǎn)。



第三代寬禁帶半導(dǎo)體AlGaN/GaN HEMT以其優(yōu)越的特性，是5G高頻率、大功率通信主導(dǎo)者，具有無可替代的優(yōu)勢。
時代速信氮化鎵功率放大器產(chǎn)品涵蓋裸Die和內(nèi)匹配器件，具有寬帶、高效率、高增益的優(yōu)異特性。
GaN功率放大器高效率特性，能夠有效降低5G基站熱功耗。
裸Die產(chǎn)品功率覆蓋8W-100W，均能滿足DC-6GHz以內(nèi)的超寬帶應(yīng)用。內(nèi)匹配放大器完全滿足5G32T 及64T Massive MIMO應(yīng)用。6G以下產(chǎn)品功率8W、15W、20W、35W、48W、65W、75W、80W、100W（可根據(jù)客戶需求定制內(nèi)匹配產(chǎn)品）