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2004年左右，第一個(gè)氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET在硅襯底上形成得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較

深圳市時(shí)代速信科技有限公司日前推出四款4W系列砷化鎵高效率功率放大器芯片，頻率分別覆蓋：1.8-1.9GHz (型號(hào)GSP1P904AL)，2.1-2.2GHz (型號(hào)GSP2P204AL)，2.3-2.4GHz (型號(hào)GSP2P404AL)，3.3

深圳市時(shí)代速信科技有限公司日前達(dá)成一個(gè)重要里程碑：其量產(chǎn)的GSL809AD成為首款由國(guó)產(chǎn)射頻芯片公司自主研發(fā)，并依據(jù)AEC-Q100-Rev-H (September 11，2014) 標(biāo)準(zhǔn)獲得車規(guī)可靠性認(rèn)證的射頻低噪聲放大器。該標(biāo)準(zhǔn)是由美國(guó)汽車電子

深圳市時(shí)代速信科技有限公司日前推出三顆2W系列微波線性功率放大器芯片，頻率分別覆蓋12-16GHz（型號(hào)GSP01502AQ）、16-20GHz（型號(hào)GSP01802AQ）和21-24GHz（型號(hào)GSP02302AQ），主要用于微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信、衛(wèi)星通

[中國(guó)，上海，2022年2月9日]深圳市時(shí)代速信科技有限公司上海子公司在上海北外灘虹口區(qū)城投控股大廈揭牌。時(shí)代速信總經(jīng)理邢利敏、虹口區(qū)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、上海市人大代表馬瑜代表、上汽集團(tuán)楊輝博士、復(fù)旦大學(xué)田芊博士、他山之石企業(yè)管理（上海）有限公司林曉祥總經(jīng)理、