全球SiC和GaN器件市場正處于高速增長的狀態(tài)，在有更高要求的功率和射頻等領(lǐng)域，SiC和GaN材料大放光彩，與傳統(tǒng)硅材料不斷搶奪市場份額。亞化咨詢預(yù)計(jì)，未來幾年內(nèi)全球SiC和GaN器件市場將保持25%-40%的高增速。
SiC器件正被廣泛的應(yīng)用于電子電力領(lǐng)域。耐高溫、高頻、大功率、高壓等特性，使得SiC器件在軌道交通、電網(wǎng)、光伏逆變器、新能源汽車、充電樁等多個(gè)領(lǐng)域扮演著積極后進(jìn)者的角色。2019年，SiC功率器件市場約為5億美元。亞化咨詢預(yù)計(jì)，到2025年，SiC功率器件市場將逼近35億美元。
由于GaN在高頻下具有較高的功率輸出和較小的面積，GaN已被射頻行業(yè)廣泛采用。隨著5G到來，GaN在Sub-6GHz宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找到一席之地。而5G基站的大規(guī)模建設(shè)帶來了巨大的GaN射頻器件市場需求。2019年，GaN射頻市場約為6.42億美元。亞化咨詢預(yù)計(jì)，到2025年GaN射頻器件市場將超過30億美元。
此外，GaN技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出等應(yīng)用。目前GaN功率市場主要由快充帶動。2020年，小米、OPPO、雷柏、omthing、柚能等相繼發(fā)布了氮化鎵充電器產(chǎn)品。GaN功率器件領(lǐng)域一直由EPC，GaN Systems，Transphorm和Navitas等純GaN初創(chuàng)公司主導(dǎo)，他們的產(chǎn)品主要是TSMC、Episil或X-FAB代工生產(chǎn)。2019年，GaN功率器件市場約為0.9億美元，亞化咨詢預(yù)測，到2025年，GaN功率器件市場將達(dá)到4億美元左右。
中國企業(yè)近年來快速布局第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。中國目前第三代半導(dǎo)體器件/模塊生產(chǎn)企業(yè)有IDM同時(shí)也有代工，布局的項(xiàng)目約為30個(gè)，主要集中于江蘇省、廣東省、山東省等地，目前主要產(chǎn)品主要為SiC二極管、GaN功率器件、SiC功率模塊等
上一篇： 沒有了
